Начался серийный выпуск фазовой памяти для сотовых телефонов

Micron Technology объявила о том, что первой в мире начала серийное производство фазовой памяти для мобильных устройств. В будущем компания планирует наладить выпуск фазовой памяти для более сложных гаджетов.

Компания приступила к выпуску многокристальных модулей, содержащих кристалл фазовой памяти Phase Change Memory (PCM) емкостью 1 Гбит (128 МБ) и кристалл памяти LPDDR2 емкостью 512 Мбит (64 МБ). Объем выпуска и стоимость вендор не уточнил.

Эти решения предназначены для использования в мобильных телефонах с расширенной функциональностью. В будущем Micron планирует представить фазовую память для смартфонов и планшетов. Принцип действия фазовой памяти заключается в изменении состояния вещества с аморфного на кристаллическое и обратно путем температурного воздействия, осуществляемого с помощью электрического тока (для сравнения, в современной флэш-памяти данные хранятся в виде электрических зарядов).

Как пояснили в пресс-службе Micron, фазовая память предлагает сокращенное время загрузки электронного устройства, более высокую производительность и упрощает процесс разработки программного обеспечения по сравнению с существующей памятью. Кроме того, она потребляет меньше энергии и обладает крайне высокой надежностью.

Новые модули Micron производятся на базе 45-нм технологии и соответствуют стандартам JEDEC, независимой организации, которая занимается стандартизацией в области компьютерной памяти.

Micron - мировой поставщик энергозависимой и энергонезависимой памяти для простых телефонов, смартфонов, планшетов и других устройств. Компания выпускает интегрированную память типа NOR, NAND, PCM, LPDRAM и e-MMC, стремясь отвечать за регулярно возникающие новые потребности индустрии электронных устройств. В 2006 г. Micron создала совместное предприятие с Intel. Оно называется IM Flash Technologies и также занимается разработкой и выпуском компьютерной памяти. Intel - одна из компаний, которая также проявляет интерес к памяти, основанной на фазовом переходе. Помимо Micron и Intel, разработками в данном направлении занимаются IBM, Samsung, Numonyx и др.

Недавно об очередном прорыве в области фазовой памяти объявили ученые Кембриджского университета. Им удалось значительно сократить время записи данных в ячейку памяти такого типа.

Фото: tsar-dark.ucoz.ru